Numéro |
J. Phys. III France
Volume 3, Numéro 4, April 1993
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Page(s) | 745 - 756 | |
DOI | https://doi.org/10.1051/jp3:1993160 |
J. Phys. III France 3 (1993) 745-756
Couches minces diélectriques de phosphate d'aluminium
S. Daviéro, C. Avinens, A. Ibanez, J. C. Giuntini and E. PhilippotLab. Physicochimie des Matériaux Solides, UM II, URA D0407, 34095 Montpellier Cedex 05, France
(Reçu le 25 mai 1992, révisé le 7 septembre 1992, accepté le 25 septembre 1992)
Abstract
Aluminium phosphate thin films on silicium substrate have been carried out from
tributylphosphate and aluminium acetylacetonate precursors in solution through
the "pyrosol" process. It can be observed a large range of chemical analysis in
terms of experimental conditions. These thin films have been characterized by X-ray
diffraction and infrared spectrometry. Their electrical characteristics, defined
from direct current and alternative current measurements, are quite different to those
of the crystallized phosphate and can be explained by P-O and Al-O "dangling bond" existence.
Résumé
Réalisation de couches minces de phosphate d'aluminium sur substrat de silicium
à partir des précurseurs tributylphosphate et acétylacétonate d'aluminium en solution
par la méthode "pyrosol". La composition chimique des dépôts varie rapidement
en fonction des conditions expérimentales. Ces couches minces sont caractérisées
par spectrométrie infrarouge et diffraction des RX. Leurs caractéristiques électriques,
déterminées par conductivité électrique en courant continu et alternatif, sont nettement
différentes de celles du phosphate d'aluminium cristallisé et s'expliquent par
l'existence de "liaisons pendantes" AI-O et P-O.
© Les Editions de Physique 1993