Influence de l'introduction de défauts colonnaires amorphes sur les propriétés de transport d'un monocristal supraconducteur à haute

(Reçu le 8 juillet 1997, révisé le 20 octobre 1997, accepté le 21 octobre 1997)

Abstract
Columnar defects can be introduced in high superconductors by irradiation with high energy heavy ions. The concentration of these artificial pinning centers with a well characterized morphology is easily controlled. The pinning efficiency of these defects has been often demonstrated, mainly from magnetization measurements. In the present work, measurements of the electrical resistance along the c axis, , in the presence of columnar defects are presented. They show the ability of these defects to prevent the thermal fluctuations effects. The measurements have been performed on the same crystal before and after the heavy ion irradiation.

Résumé
L'irradiation aux ions lourds de haute énergie permet d'introduire des défauts colonnaires amorphes dans les supraconducteurs à haute . Ces centres de pinning artificiel, de morphologie connue, sont introduits en concentration facile à maîtriser. L'efficacité de ces défauts a été très souvent démontrée à partir de mesures d'aimantation. L'étude présentée ici : mesure de la résistance selon l'axe c, , en présence de défauts colonnaires parallèles à l'axe c, montre que ces défauts sont capables de s'opposer efficacement à l'effet des fluctuations thermiques. Les mesures ont été faites sur le même monocristal avant et après l'irradiation.