Transverse magnetic field effects on the resonant tunneling current

L. A. Cury; A. Celeste; B. Goutiers; J. C. Portal; D. L. Sivco; A. Y. Cho

doi:doi:10.1051/jp3:1991102

Numéro		J. Phys. III France Volume 1, Numéro 4, April 1991


Page(s)		497 - 501
DOI		https://doi.org/10.1051/jp3:1991102

DOI: 10.1051/jp3:1991102
J. Phys. III France 1 (1991) 497-501

Transverse magnetic field effects on the resonant tunneling current

L. A. Cury¹, A. Celeste¹, B. Goutiers¹, J. C. Portal¹, D. L. Sivco² and A. Y. Cho²

¹ INSA-CNRS, Avenue de Rangueil, 31077 Toulouse Cedex, France et SNCI-CNRS, Avenue des Martyrs, 38048 Grenoble Cedex, France
² AT & T Bell Laboratories, Murray Hill, New Jersey 07974, U.S.A.

(Received 30 May 1990, revised 18 June 1990, accepted 11 July 1990)

Abstract
Resonant tunneling process in an (InGa)As-(InAI)As symmetric double-barrier structure subjected to a transverse magnetic field $B_{\perp}$ (perpendicular to the current) is investigated. We particularly focus on the experimental behaviour of $V_{\rm p}$ , the voltage at the current peak position, as a function of the magnetic field $B_{\perp}$ . For strong magnetic fields a clear dependence on $B_{\perp}^2$ is observed, as expected. However, an original result is obtained at small magnetic fields where a deviation from the parabolic behaviour is observed. The more complicated dependence on $B_{\perp}$ of $V_{\rm p}$ is obtained from a numerical fit. A qualitative discussion is proposed on the basis of a previous publication (L. A. Cury, A. Celeste, J. C. Portal, Solid-States Electron. 32 (1989) 1689) and the differences with the results of other authors are pointed out.

Résumé
Un système à double barrière à semiconducteurs basé sur les alliages (InGa)As(InAI)As est étudié sous un fort champ magnétique transverse $B_{\perp}$ (perpendiculaire au courant). On étudie plus particulièrement la variation expérimentale de la tension $V_{\rm p}$ associée au courant pic en fonction du champ magnétique $B_{\perp}$ . A très fort champ, le comportement attendu de $V_{\rm p}$ en $B_{\perp}^2$ est observé. Dans le domaine des bas champs magnétiques une déviation du comportement quadratique est mise en évidence. Le comportement plus compliqué de $V_{\rm p}$ en fonction de $B_{\perp}$ est obtenu au travers d'un lissage numérique. Nous proposons une discussion qualitative, de ces résultats, fondée sur notre travail antérieur (L. A. Cury, A. Celeste, J. C. Portal, Solid-States Electron. 32 (1989) 1689) ainsi qu'une comparaison avec les résultats d'autres auteurs.