Numéro
J. Phys. III France
Volume 2, Numéro 7, July 1992
Page(s) 1305 - 1316
DOI https://doi.org/10.1051/jp3:1992108
DOI: 10.1051/jp3:1992108
J. Phys. III France 2 (1992) 1305-1316

Réponse spectrale de photopiles de haut rendement au silicium multicristallin

Le Quang Nam1, M. Rodot1, J. Nijs2, M. Ghannam2 and J. Coppye2

1  CNRS/LPSB, 1 place A. Briand, 92195 Meudon, France
2  IMEC, Kapeldreef 75, B 3001 Leuven, Belgium

(Reçu le 24 décembre 1991, accepté le 20 mars 1992)

Abstract
The conversion efficiency of polycrystalline silicon solar cells has been raised to 15.6 % (for an area of 4 cm 2), using simple processes to improve the base and the back and front surfaces. Spectral response measurements are presented and analyzed using a classical model, in order to reach the main physical parameters. It is found that the initial gettering procedure designed by Martinuzzi an Sarti raises the electron diffusion length in the base to values well above wafer thickness (180  $\mu$m) ; that owing to a p/p + back junction, the back surface recombination rate is reduced to 10-10 2 cm/s; that owing to the emitter back-etchnig and passivation the front surface recombination rate is reduced to <104 cm/s. These results explain the high efficiency. Improvement possibilities are discussed.

Résumé
L'amélioration, par des procédés simples, de la base, de la face arrière et de l'émetteur a permis de porter, le rendement de conversion de photopiles au silicium polycristallin à 15,6 % pour une surface de 4 cm 2. On présente des mesures de réponse spectrale qui, interprétées par un modèle classique, permettent de déterminer les parmètres physiques essentiels. On trouve que le traitement de "gettering" des plaquettes de silicium, mis au point par Marinuzzi et Sarti, porte la longueur de diffusion des électrons dans la base à des valeurs très supérieures à l'épaisseur de la plaquette (180  $\mu$m) ; que la préqence d'une jonction p/p + en face arrière abaisse le taux de recombinaison à 10-10 2 cm/s ; que l'amincissement et la passivation de l'émetteur abaissent le taux de recombinaison en ace avant à <104 cm/s. On explique ainsi les bons rendements obtenus, et on indique les voies d'amélioration possible.



© Les Editions de Physique 1992