Possiblités de mesure quantitative avec un appareillage de réflectométrie X utilisant le mode angulaire dispersif

(Reçu le 23 juin 1992, accepté le 20 août 1992)

Abstract
A normalization procedure for reflectivity curves obtained with a new apparatus using the angle-resolved dispersive mode (J. Appl. Cryst., 1989) is described here. Simulation of spectra with the optical theory of X-rays is then possible. It allows to determine with a good accuracy the density, thickness and interfacial rugosities of layers when their thicknesses are less than about 200 nm. In order to check the normalization procedure a bulk silicon sample and a layer of evaporated nickel are analysed.

Résumé
Dans cet article nous présentons une procédure pour la normalisation des courbes de réflectivité obtenues par un nouvel appareillage de réflectométrie X utilisant le mode angulaire dispersif (J. Appl. Cryst., 1989). La simulation de ces courbes, dans le cadre de la théorie optique, devient alors possible. Pour les dépôts d'épaisseur inférieure à environ 200 nm, elle permet de déterminer précisément l'épaisseur, les rugosités interfaciales et la compacité. Afin de vérifier la validité de notre procédure de normalisation, nous analysons à titre d'exemples le cas d'un échantillon massif de silicium, et celui d'une couche mince de nickel évaporée sur un support en silicium.