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J. Phys. III France
Volume 3, Numéro 1, January 1993
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| Page(s) | 1 - 12 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jp3:1993114 | |
J. Phys. III France 3 (1993) 1-12
Obtention de couches minces texturées de MoSe 2 à partir de feuillets de Mo et de Te
A. Ouadah, J. Pouzet and J. C. BemedeLaboratoire de Physique des Matériaux pour l'Electronique, Faculté des Sciences, Université de Nantes, 2 rue de la Houssinière, 44072 Nantes Cedex 03, France
(Reçu le 18 juin 1992, révisé le 8 septembre 1992, accepté le 8 octobre 1992)
Abstract
A process to obtain textured MoSe
2 thin films is described. The films are obtained by annealing Mo and Te constituents, in thin films form, under Te and/or
Se pressure. The films have been investigated by XPS analysis, X-ray analysis, scanning electron microscopy, transmission
electron microscopy and optical and electrical measurements. Stoichiometric and textured MoSe
2 thin films can be obtained. Measurements show that the thin films have better cristalline, optical and electrical properties
than these of MoSe
2 thin films obtained previously.
Résumé
Une méthode d'obtention de couches minces texturées de MoSe
2 a été mise au point. Ces couches sont obtenues à partir de feuillets de Mo et de Te successivement superposés, puis traitées
thermiquement en présence de vapeur de Te et/ou Se. Les couches obtenues sont étudiées par spectroscopie de photoélectrons
(XPS), diffraction de rayons X, microscopie à balayage (MEB), microscopie électronique à transmission (MET) et par mesures
optiques et électriques. Les. résultats montrent que des couches minces stcechiométriques et texturées de MoSe
2 peuvent être obtenues. Leurs propriétés cristallines sont supérieures à celles obtenues antérieurement comme en témoignent
les diagrammes de diffraction des rayons X ainsi que les caractéristiques optiques et électriques.
© Les Editions de Physique 1993