DOI: 10.1051/jp3:1993119
J. Phys. III France 3 (1993) 47-53

Annealing-related electrical and piezoresistive properties of Band As-implanted LPCVD silicon films

P. Jeanjean¹, J. Sicart¹, J. L. Robert¹, M. Le Berre², P. Pinard² and V. Conedera<sup>3

1</sup>  Groupe d'Etude des Semiconducteurs, UA 357, USTL, 34095 Montpellier Cedex 05, France
²  Laboratoire de Physique de la Matière, LA 358, INSA, 69621 Villeurbanne, France
³  Laboratoire Automatisme et Analyse des Systèmes, CNRS, 31077 Toulouse, France

(Received 4 June 1992, accepted 17 September 1992)

Abstract
We investigate the electrical properties of polycrystalline silicon thin films implanted with arsenic or boron ions. Two types of post-implantation annealing have been performed on the samples: a conventional thermal annealing (CTA) and a rapid thermal annealing (RTA). We find that RTA improves the electrical properties. Measurements of gauge factors have been carried out on both films. We conclude that RTA can be applied successfully in thin film silicon integrated sensor technology.

Résumé
Nous étudions les propriétés électriques de films silicium polycristallin implantés au bore ou à l'arsenic. Deux types de recuit post-implantation ont été effectués : un recuit conventionnel (CTA) et un recuit rapide (RTA). Nous montrons que le recuit RTA améliore les propriétés électriques. Les facteurs de gauge ont été déterminés et nous concluons que le recuit RTA est adapté à la technologie des capteurs intégrés silicium.

© Les Editions de Physique 1993