Numéro
J. Phys. III France
Volume 3, Numéro 4, April 1993
Page(s) 775 - 791
DOI https://doi.org/10.1051/jp3:1993163
DOI: 10.1051/jp3:1993163
J. Phys. III France 3 (1993) 775-791

Obtention par PVD de condensateurs à base d'oxyde de germanium amorphe

C. Caperaa, B. Segda, M. Jacquet, G. Baud and J.-P. Besse

Laboratoire de Physico-Chimie des Matériaux, URA CNRS 444, 24 avenue des Landais, 63177 Aubière Cedex, France

(Reçu le 25 mai 1992, accepté le 5 novembre 1992)

Abstract
This paper describes the elaboration of thin amorphous films of germanium dioxide and mixed germanium and lead oxides by RF cathodic sputtering in order to develop low loss capacitors with the highest possible capacity. The composition and the structure of the films are respectively determined by RBS and EXAFS. The best dielectric characteristics in low frequencies are obtained for the GePb 1.40O 3.40 material.

Résumé
Cet article décrit l'élaboration par pulvérisation cathodique RF de films minces amorphes de dioxyde de germanium et d'oxydes mixtes de germanium et de plomb dans le but de réaliser des condensateurs à faibles pertes et de plus grande capacité possible. La composition et la structure des films sont déterminées respectivement par RBS et par EXAFS. Les meilleures caractéristiques diélectriques en basses fréquences sont obtenues pour le matériau GePb 1,40O 3,40.



© Les Editions de Physique 1993