Numéro |
J. Phys. III France
Volume 3, Numéro 4, April 1993
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Page(s) | 775 - 791 | |
DOI | https://doi.org/10.1051/jp3:1993163 |
J. Phys. III France 3 (1993) 775-791
Obtention par PVD de condensateurs à base d'oxyde de germanium amorphe
C. Caperaa, B. Segda, M. Jacquet, G. Baud and J.-P. BesseLaboratoire de Physico-Chimie des Matériaux, URA CNRS 444, 24 avenue des Landais, 63177 Aubière Cedex, France
(Reçu le 25 mai 1992, accepté le 5 novembre 1992)
Abstract
This paper describes the elaboration of thin amorphous films of germanium
dioxide and mixed germanium and lead oxides by RF cathodic sputtering in order
to develop low loss capacitors with the highest possible capacity. The composition
and the structure of the films are respectively determined by RBS and EXAFS.
The best dielectric characteristics in low frequencies are obtained for the
GePb
1.40O
3.40 material.
Résumé
Cet article décrit l'élaboration par pulvérisation cathodique RF de films minces
amorphes de dioxyde de germanium et d'oxydes mixtes de germanium et de plomb dans
le but de réaliser des condensateurs à faibles pertes et de plus grande capacité
possible. La composition et la structure des films sont déterminées respectivement
par RBS et par EXAFS. Les meilleures caractéristiques diélectriques en basses
fréquences sont obtenues pour le matériau GePb
1,40O
3,40.
© Les Editions de Physique 1993