DOI: 10.1051/jp3:1993212
J. Phys. III France 3 (1993) 1479-1488

Détermination des épaisseurs de films très minces de SiO sur silicium par microscopie électronique en transmission, ellipsométrie spectroscopique et spectroscopie de photoélectrons

R. Saoudi¹, G. Hollinger¹, A. Gagnaire², P. Ferret¹ and M. Pitaval<sup>1

1</sup>  Laboratoire Traitement du Signal et Instrumentation, URA CNRS 842, 23 rue du Dr Paul Michelon, 42023 Saint-Etienne Cedex 2, France
²  Département de Physicochimie des Matériaux, Ecole Centrale de Lyon, 69131 Ecully Cedex, France

(Reçu le 15 décembre 1992, accepté le 22 avril 1993)

Abstract
High Resolution cross-sectional Transmission Electron Microscopy (HRTEM), Spectroscopic ellipsometry and X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) have been used conjointly to measure accurately the thickness of very thin SiO ₂ films (20-200 Å) of electronic quality. HRTEM has been used to calibrate both ellipsometry and XPS technics. A procedure to measure the absolute oxide film thicknesses has been defined for each of the three methods.

Résumé
La Microscopie Electronique en Transmission à Haute Résolution (METHR), l'ellipsométrie spectroscopique et la spectroscopie de photoélectrons XPS ont été utilisées conjointement pour évaluer avec précision l'épaisseur de couches très minces de SiO ₂ (20-200 Å) de qualité électronique. Une calibration de l'ellipsométrie et de l'XPS par la METHR a été effectuée. Une procédure de mesure de l'épaisseur absolue d'oxydes fins a été déterminée pour les trois méthodes.

© Les Editions de Physique 1993