Caractérisation électrique des interfaces P ⁺-Si-poly/N-c-Si réalisées par dépôt LPCVD de films fortement dopés in situ au bore

(Reçu le 22 janvier 1993, révisé le 3 mai 1993, accepté le 18 mai 1993)

Abstract
Diodes with polycrystalline in situ boron doped emitter deposited by LPCVD on N doped monocrystalline silicon wafers have been analysed electrically with the aim to identify the conduction mechanism through the jonction. In this paper we present the I(V,T) and C (V, T) measurements of the diodes annealed at 1 050 °C during 11 min 45 s in oxygen, argon and nitrogen atmosphere. We also compare the non annealed diode data previously found with our present results, and try to correlate the electrical measurements to the structural analysis [1]. We conclude that the dominant mechanism shows the electrical quality of the studied structures.

Résumé
Des diodes à émetteur polycristallin dopé in situ au bore et déposé par LPCVD sur des plaquettes de silicium monocristallin dopé N sont analysées électriquement dans le but d'identifier les mécanismes de conduction à travers la jonction. Nous présentons les résultats des mesures I (V, T) et C (V, T) des diodes recuites (processées) à 1 050 °C pendant 11 min 45 s dans des atmosphères d'oxygène, d'argon et d'azote et les comparons aux résultats des diodes non recuites. Nous essayons de corréler les résultats des mesures électriques aux analyses de structure réalisées par ailleurs [1]. L'identification du mécanisme de transport prépondérant témoignera de la qualité électrique des structures étudiées.