Numéro |
J. Phys. III France
Volume 3, Numéro 11, November 1993
|
|
---|---|---|
Page(s) | 2087 - 2099 | |
DOI | https://doi.org/10.1051/jp3:1993262 |
J. Phys. III France 3 (1993) 2087-2099
Préparation et étude de couches minces de CuXY 2 (X = Ga, In ; Y = Se, Te) pour applications en cellules solaires
G. Massé, L. Yarzhou and K. DjessasCentre d'études fondamentales, Université de Perpignan, 52 Avenue de Villeneuve, 66860 Perpignan, France
(Reçu le 25 juin 1993, accepté le 31 août 1993)
Abstract
This paper concerns the study of thin films of CuXY
2 (X = Ga, In; Y = Se, Te)
photovoltaic materials. The thin films were grown from a close-spaced vapour transport
technique in closed tube, with iodine as reagent. After a review of the method and the
published results concerning the thermodynamical aspect, we give some results of
characterization of the thin films grown with this method. The conditions of
quasi-stoichiometric deposition were determined. Phase transitions were observed:
for example, for CuInSe
2 and at source temperatures above 580°C, the films
are formed of (In, Se) compounds, mainly In
2Se
3 and InSe. These films have
a n-type conductivity, while the CuInSe
2 films, obtained at
C,
have a p-type conductivity. Hence, either p-type or n-type films can be grown,
simply by varying the source temperature. These results were complemented by a study
of the films grown by close-spaced sublimation (CSS) at moderate temperature, using the
same apparatus. The films are also formed of (In, Se) compounds.
Résumé
Cet article concerne l'étude de couches minces de matériaux
photovoltaïques CuXY
2 (X = Ga, In ; Y = Se, Te) obtenues par une méthode
de transport chimique à courte distance (CSVT) en tube fermé, en présence d'iode.
Après un rappel de la méthode, et une synthèse des résultats déjà publiés sur
l'aspect thermodynamique, nous donnons des résultats de caractérisation des
couches minces obtenues. Les conditions de dépôt quasi-stoechiométriques
ont été déterminées. Des transitions de phase ont été trouvées : par exemple,
pour CuInSe
2 et pour des températures de source
C, les couches
sont formées de composés (In, Se), en particulier In
2Se
3 et InSe. Ces couches
sont de type n, alors que les couches de CuInSe
2, obtenues pour
C,
sont de type p. On peut donc déposer successivement des couches p et n simplement
en variant la température. Ces résultats ont été complétés par une étude des
couches obtenues par sublimation à courte distance (CSS) à température modérée,
en utilisant le même appareillage. On retrouve des couches formées de composés (In, Se).
© Les Editions de Physique 1993