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J. Phys. III France
Volume 4, Numéro 9, September 1994
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Page(s) | 1689 - 1706 | |
DOI | https://doi.org/10.1051/jp3:1994234 |
J. Phys. III France 4 (1994) 1689-1706
Effets de compétition entre les phénomènes de dopage et d'endommagement dans les polymères électroactifs implantés
A. Moliton1, C. Moreau1, B. Lucas1, R. H. Friend2 and G. Froyer11 LEPOFI, Faculté des Sciences, Université de Limoges, 123 avenue Albert Thomas, 87060 Limoges Cedex, France
2 Cavendish Laboratory, Cambridge University, Cambridge, CB3 OHE, U.K.
(Reçu le 9 février 1994, accepté le 25 mai 1994)
Abstract
From a general band scheme appropriate for electroactive polymers, we explain how each of the two main processes (damage or
doping) induced by ion implantation can play a major role. DC conductivity, thermopower and AC conductivity studied versus temperature for varying implantation parameters allow us to confirm our interpretations : damage is produced by high implantation
parameters in which case transport phenomena of p type occur mainly in degenerate states near the Fermi level, whereas low
implantation parameters induce doping in polaronic bands characterized by thermally activated processes, although effects
due to the existence of defects can appear, especially at low temperature. Compensation effects, described by a Kubo-Greenwood
formula applied to the thermoelectric power, give a consistent explanation of the successive behaviours. Moreover, we present
a general interpretation of the p type conductivity behaviour observed in intrinsic polymers.
Résumé
En utilisant le schéma de bandes des polymères électroactifs, nous expliquons les raisons pour lesquelles au cours de l'implantation
ionique dans ces matériaux les deux principaux, processus générés (le dopage et les endommagements) sont à même de jouer un
rôle important. Les mesures de conductivité continue, de pouvoir thermoélectrique et de conductivité alternative ont conforté
nos interprétations : de forts paramètres d'implantation génèrent des endommagements qui induisent des phénomènes de transports
de type p principalement dans les états dégénérés situés au voisinage du niveau de Fermi, alors que de faibles paramètres
d'implantation favorisent le dopage dans les bandes polaroniques caractérisées par des processus thermiquement activés bien
que la présence de défauts puisse se faire sentir notamment à basse température. Des effets de compensation, décrits à partir
de la formule de Kubo-Greenwood appliquée au pouvoir thermoélectrique, fournissent une explication satisfaisante des différents
comportements rencontrés. De plus, nous présentons une interprétation générale de l'origine de la conductivité de type p rencontrée
dans les polymères intrinsèques.
© Les Editions de Physique 1994