Etude de l'effet de la température de dépôt ou de recuit sur la formation de l'interface Au/GaSb(100) par diffraction d'électrons lents et spectroscopies d'électrons Auger ou de pertes d'énergies

(Reçu le 8 juillet 1994, révisé le 28 novembre 1994, accepté le 14 février 1994)

Abstract
Auger electron spectroscopy (AES), energy electron loss spectroscopy (EELS) and low energy electron diffraction (LEED) are used to precise the interaction of gold with GaSb(100) surfaces grown on GaSb substrates by molecular beam epitaxy (MBE). After the growth, the GaSb layers, produced in the laboratory, were transferred by the mean of an ultra vacuum lock chamber, into an other ultra vacuum devoted to the deposit of gold and to the physical studies. Measurements were first performed on the clean surfaces and then on surfaces covered by increasing amounts of gold (6 10 ¹³-1.8 10 ¹⁶ atoms cm ^-2) deposited on substrates brought at room temperature or at low temperature (220 K). The samples were then studied during the annealing up to 520 K. The results show, at the beginning of the deposition, gold was adsorbed on the MBE GaSb(100) surface. When the gold coverage increases and becomes higher than 10 ¹⁵ atomes cm ^-2, Au diffuses into the bulk and forms alloys.

Résumé
Nous étudions par spectroscopie d'électrons Auger (SEA), spectroscopie de pertes d'énergies d'électrons lents (SPEEL) et diffraction d'électrons lents (DEL), l'adsorption de l'or sur des surfaces (100) de couches de GaSb obtenues au laboratoire par épitaxie par jets moléculaires (EJM) sur des substrats de GaSb, puis transférées pour dépôt et étude dans l'enceinte à ultravvide de dépôt métallique par l'intermédiaire d'un sas sous ultravide. Les mesures sont effectuées avant et après dépôts d'or (6 10 ¹³-1,8 10 ¹⁶ atomes cm ^-2) réalisés sur un substrat à la température ambiante ou refroidi à 220 K. Les échantillons sont ensuite étudiés pendant lerecuit jusqu'à 520 K. Les résultats obtenues montrent que l'or, dans un premier temps s'adsorbe sur la surface, puis, lorsque le dépôt augmente, diffuse dans le volume du matériau. cette diffusion, qui peut s'acompagner de la formation d'alliages, n'est cependant notable dans la gamme de température utilisée que pour des dépôts supérieurs à 10 ¹⁵ atomes cm ^-2.