Spectroellipsometric Investigation of LPCVD Polysilicon: As Deposited and After Hydrogenation

(Received 15 May 1995, revised 26 September 1995, accepted 15 November 1995)

Abstract
Polycrystalline silicon deposited at 570 C and 620 C temperature, as-deposited and after hydrogenation, was investigated by spectroellipsometry. The behaviour of refractive and absorption index versus wavelength is presented. The paper also includes evaluation of the surface roughness and the crystallinity fraction of polysilicon via Bruggeman-Effective Medium Approximation. An attempt to evaluate the first two direct interband transitions from spectroellipsometric spectrum and comparison with other measurements is reported.

Résumé
On a étudié, par spectroellipsométrie, du silicium polycristallin après dépôt à 570 C et 620 C, puis après hydrogénation. Les comportements des indices de réfraction et d'absorption en fonction de la longueur d'onde sont présentés. Cet article contient l'évaluation de la rugosité de la surface et de la fraction cristalline du silicium polycristallin en utilisant l'approximation du milieu effectif de Bruggeman. Un essai d'évaluation pour les deux premières transitions interbande permet de calculer des spectres spectroellipsométriques ; la comparaison avec d'autres mesures est aussi présentée.