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Détermination des épaisseurs de films très minces de SiO₂ sur silicium par microscopie électronique en transmission, ellipsométrie spectroscopique et spectroscopie de photoélectrons

R. Saoudi, G. Hollinger, A. Gagnaire, P. Ferret, M. Pitaval

J. Phys. III France, 3 7 (1993) 1479-1488

DOI: https://doi.org/10.1051/jp3:1993212

Citations de cet article :

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Sub-0.1 μm gate etch processes: Towards some limitations of the plasma technology?

L. Desvoivres, L. Vallier and O. Joubert
Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures 18 (1) 156 (2000)
https://doi.org/10.1116/1.591168

Electronic structure of a heterostructure of an alkylsiloxane self-assembled monolayer on silicon

D. Vuillaume, C. Boulas, J. Collet, G. Allan, and C. Delerue
Physical Review B 58 (24) 16491 (1998)
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Analyses of the chemical topography of silicon dioxide contact holes etched in a high density plasma source

O. Joubert, P. Czuprynski, F. H. Bell, P. Berruyer and R. Blanc
Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures Processing, Measurement, and Phenomena 15 (3) 629 (1997)
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Suppression of Charge Carrier Tunneling through Organic Self-Assembled Monolayers

C. Boulas, J. V. Davidovits, F. Rondelez and D. Vuillaume
Physical Review Letters 76 (25) 4797 (1996)
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