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J. Phys. III France
Volume 1, Number 4, April 1991
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| Page(s) | 557 - 567 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jp3:1991140 | |
J. Phys. III France 1 (1991) 557-567
Réalisation de circuits intégrés I
L à base de transistors bipolaires a double hétérojonction GaAlAs/GaAs
J. P. Vannel, T. Camps, A. S. Ferreira, J. Tasselh, A. Cazarré, A. Marty and J. P. Bailbé Laboratoire d'Automatique et d'Analyse des Systèmes, 7 Avenue du Colonel Roche, 31077 Toulouse Cedex, France
(Reçu le 30 avril 1990, révisé le 16 juillet 1990, accepté le 31 août 1990)
Abstract
GaAlAs/GaAs double heterojunction bipolar transistors (DHBT's) have a number of advantages for I
2L (integrated injection logic) high speed integrated circuits concerning the interchangeability between the emitter and the
collector and a high design flexibility due to the use of two heterojunctions. We present the fabrication process of an I
2L integrated circuit including a frequency divider-by-two and a ring oscillator which presents a propagation delay time of
1.2 ns for a power consumption of 8 mW.
Résumé
Les transistors bipolaires à double hétérojonction GaAlAs/GaAs (TBDH) présentent de nombreux avantages pour leur application
dans des circuits intégrés de logique I
2L (logique à injection intégrée), dont en particulier l'interchangeabilité entre émetteur et collecteur, et la liberté de
conception résultant de l'utilisation de deux hétérojonctions. Dans ce cadre nous décrivons les principales étapes technologiques
de fabrication d'un circuit intégré I
2L comportant un diviseur de fréquence par 2 et un oscillateur en anneau. Ce demier présente un temps de propagation de 1,2
ns pour une puissance dissipée de 8 mW.
© Les Editions de Physique 1991