Etude de contacts métal-InP(n) clivé : barrière de Schottky et états d'interface

(Reçu le 1$^{er}$ août 1990, accepté le 28 décembre 1990)

Abstract
Au, Ag, AI and Pd-InP (n type) interfaces have been obtained by UHV cleavage and in situ metallization. These interfaces have been characterized by electrical methods : I- V, C- V, SCS (Shottky Capacitance Spectroscopy). In spite of great variations in the reactivities of the deposited metals on InP, the Schottky barrier heights are quite similar: 0.37 eV (AI) ; 0.41 eV (An, Pd) ; 0.54 eV (Ag). The study of interface states by SCs shows the presence of two characteristic states whatever the metal localized near E_c - 0,25 eV and E_c - 0,37 eV. The latter could play a significant role in the Fermi level pinning.

Résumé
Des interfaces Au, Ag, AI et Pd-InP de type n ont été réalisées par clivage et métallisation in situ sous ultra-vide. Les caractérisations ont été effectuées par des méthodes électriques I-V, C-V et SCS (Spectroscopie de Capacité Schottky). Malgré les importantes différences de réactivité entre les métaux utilisés et InP les barrières de Schottky varient peu: 0,37 eV pour AI, 0,41 eV pour Au et Pd et 0,54 eV pour Ag. L'analyse des états d'interface par SCS met en évidence deux états communs à toutes les interfaces et localisés au voisinage de E_c - 0,25 eV et E_c - 0,37 eV. Ce dernier pourrait jouer un rôle important dans l'ancrage du niveau de Fermi.