Calcul simplifié du rendement de collecte du courant induit par un faisceau d'électrons (EBIC). Application à la caractérisation de diodes AI-Si p et Si n ⁺ p

(Reçu le 12 mai 1992, révisé le 24 novembre 1992, accepté le 11 décembre 1992)

Abstract
A simple analysis is made of the electron beam induced current (EBIC) collection efficiency at a silicon rectifying contact perpendicular to the beam of a scanning electron microscope. The model takes into account the minority carrier bulk diffusion length, the junction recombination velocity and - in the case of n-p diode - the lifetime in the near surface layer. It is then used to analyse AI-Si p Schottky contacts and n ⁺ p silicon solar cells.

Résumé
Les porteurs libres générés par le faisceau d'un microscope électronique à balayage dans des échantillons de silicium sont collectés grâce à une jonction superficielle perpendiculaire au faisceau. Le rendement de collecte de cette jonction, en fonction de l'énergie cinétique des électrons incidents, est modélisé d'une manière simple pour rendre compte de la longueur de diffusion des porteurs minoritaires en volume, de leur vitesse de recombinaison à la jonction et, dans le cas de la diode n-p, du temps de vie dans la couche superficielle. Le modèle est utilisé pour mesurer ces paramètres dans des diodes Schottky AI-Si p et des cellules solaires Si n ⁺ p.