Rôle de l'hydrogène dans le procédé de purification du silicium par plasma thermique inductif

(Reçu le 18 juin 1992, révisé le 6 novembre 1992, accepté le 27 novembre 1992)

Abstract
The use of the thermal process for purification of silicon led to a material with the chemical purity required for phototovoltaic applications. In this paper, the various properties of ArH ₂ plasma mixtures are briefly reviewed and the effect of hydrogen percentage in an argon plasma used for melting and purifying silicon is pointed out. Physico-chemical analysis of the purified silicon showed that hydrogen diffused in the material and could passivate crystal defects by formation of stable chemical bonds such as Si-H.

Résumé
La technique de purification du silicium sous plasma thermique permet d'aboutir à un matériau de pureté chimique requise pour l'industrie photovoltaïque. Dans ce travail, nous soulignerons le rôle de l'hydrogène intervenant dans les propriétés du plasma en rappelant les caractéristiques des plasmas Ar-H ₂ utilisés pour fondre et purifier le silicium. Les caractéristiques physico-chimiques du silicium purifié montrent que l'hydrogène diffuse dans le matériau et est en mesure de cicatriser les défauts cristallins par formation de liaisons chimiques stables de type Si-H.