Influence of dislocations on photovoltaic properties of multicrystalline silicon solar cells

(Received 24 July 1992, revised 6 July 1993, accepted 15 July 1993)

Abstract
The photovoltaic properties of large grained polycrystalline silicon solar cells are mainly affected by the presence of dislocations. Both the recombination of carriers at dislocation (which degrades the photocurrent) and the transport of carriers along the dislocation cores crossing the junction (which increases the dark current) are taken into account. The influence of the density and recombination activity of dislocations on the short circuit current density , open circuit voltage , fill factor FF, and efficiency are computed. The computed values are compared to experimental results.

Résumé
Les propriétés photovoltaïques des cellules solaires au silicium multicristallin à gros grains, sont principalement affectées par la présence de dislocations. Nous nous intéressons plus particulièrement à la recombinaison des porteurs de charges aux dislocations qui affecte en premier lieu le photocourant et au transport des charges le long du coeur des dislocations traversant la jonction et qui est responsable de l'augmentation du courant d'obscurité. Nous avons modélisé l'influence de la densité de dislocations et de leur activité recombinante sur les principaux paramètres photovoltaïques (le courant de court-circuit , la tension de circuit ouvert , le facteur de forme FF, et le rendement ). Le modèle est ensuite confronté aux résultats expérimentaux.