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J. Phys. III France
Volume 4, Number 5, May 1994
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| Page(s) | 929 - 935 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jp3:1994175 | |
J. Phys. III France 4 (1994) 929-935
Fabrication of 30 nm inter-electrode gap co-planar tunnel junctions with buried electrodes
S. Itoua1, C. Joachim1, B. Rousset2 and N. Fabre21 Centre d'Elaboration des Matériaux et d'Etudes Structurales, 29 rue J. Marvig, B.P. 4347, 31055 Toulouse Cedex, France
2 Laboratoire d'Automatique et d'Analyse des Systèmes, 7 avenue du Colonel Roche, 31077 Toulouse Cedex, France
(Received 30 December 1993, revised 10 February 1994, accepted 21 February 1994)
Abstract
Co-planar tunnel junctions with a gap length in the 30 nm range have been fabricated using a 20 keV scanning electron microscope
and a Au-Pd lift-off. The junction electrodes are less than 200 nm in width and are buried in the SiO
2 substrate. This makes the gap surface accessible for atomic force microscope characterization and for local modification.
Résumé
Des jonctions tunnels co-planaires avec une largeur de coupure inférieure à 30 nm ont été fabriquées en utilisant un masqueur
électronique à 20 keV et un procédé de lift-off d'un alliage Au-Pd. Les électrodes de la jonction ont moins de 200 nm de largeur
et sont enterrées à la surface de SiO
2. La mesure de la topographie de la surface de la coupure avec un microscope à force atomique montre une rugosité de moins
de 1 nm.
© Les Editions de Physique 1994