Croissance de PrBa ₂CU _3-xGa _xO ₇ en ablation laser pulsée : application aux superréseaux (YBa ₂Cu ₃O ₇) _M/(PrBa ₂CU _3-xGa _xO ₇) _N

(Reçu le 3 février 1994, révisé et accepté le 16 juin 1994)

Abstract
PrBa ₂Cu _3-xGa _xO ₇ thin films up to x = 0.2 and YBa ₂Cu ₃O ₇/PrBa ₂CU _2.8Ga _0.2O ₇ superlattices have been grown by pulsed laser deposition (PLD) on SrTiO ₃ substrate. At a growth temperature of 785 C, the multilayers have ( c-axis normal to the substrate surface and satellite peaks have been observed up to on X-ray diffraction spectra. At a lower growth temperature the structure becomes oriented with a-axis normal to the growth interface. Secondary-ion mass spectrometry reveals no interdiffusion beetween Y and Pr and no diffusion of Ga into the YBa ₂Cu ₃O ₇ layer. The RBS minimum yield indicates the high epitaxial relation beetween the substrate and the superlattice.

Résumé
L'oxyde PrBa ₃Cu _3-xGa _xO ₇ (PBCGO) a l'avantage de présenter une résistivité à 77 K qui est de 2 à 3 ordres de grandeur plus élevée que celle de PrBa ₂CU ₃O ₇ (PBCO). La mise au point des conditions de croissance de films de PBCGO ( x = 0,2) sur SrTiO ₃ par ablation laser pulsée a permis la préparation de superréseaux (YBa ₂Cu ₃O ₇) _M/(PrBa ₂CU _3-xGa _xO ₇) _N avec l'axe c perpendiculaire ou parallèle au plan du substrat en fonction de la température de croissance. Les profils obtenus par spectrométrie de masse d'émission ionique secondaire ne révèlent ni interdiffusion entre Y et Pr, ni diffusion du gallium vers la couche de YBCO. Les rendements de canalisation mesurés en RBS sont caractéristiques d'une bonne relation épitaxiale entre le substrat et le superréseau.