| Issue |
J. Phys. III France
Volume 5, Number 1, January 1995
|
|
|---|---|---|
| Page(s) | 33 - 42 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jp3:1995108 | |
J. Phys. III France 5 (1995) 33-42
On Schockley-Read-Hall Model with Finite Relaxation Time of Traps for Surface Recombination Velocity in Case of Illumination
C. FlueraruR & D Center for Electronic Devices, Erou Iancu Nicolae 32B, Bucharest 72996, Romania
(Received 19 July 1993, revised 26 July 1994, accepted 17 October 1994)
Abstract
In this paper we discuss the Schockley-Read-Hall model for the surface recombinaison velocity in
the case of illumination with the photon flux density. The traps have a finite time of relaxation.
We estimate for a n-type silicon the surface recombinaison velocity in all injection charge cases.
Finally, we evaluate the importance of different parameters in the value of surface recombinaison
velocity.
Résumé
Dans ce travail, nous examinons le modèle de Schockley-Read-Hall relatif à la vitesse de
recombinaison de surface dans le cas d'une illumination par un flux de photons. Le temps de
relaxation des pièges reste fini. Nous comparons les vitesses de recombinaison de surface du
silicium de type n dans tous les configurations d'injection de charge. Nous déterminons aussi
l'influence des divers paramètres sur cette vitesse de recombinaison.
© Les Editions de Physique 1995