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Issue
J. Phys. III France
Volume 7, Number 2, February 1997
Page(s) 351 - 367
DOI https://doi.org/10.1051/jp3:1997127
DOI: 10.1051/jp3:1997127
J. Phys. III France 7 (1997) 351-367

Mise en évidence des défauts profonds dans des structures MIS : Au-PO xN yIn z-(n)InP par la methode FTDLTS

H. Hbib, O. Bonnaud, H. Lhermite and A. Menkassi

Groupe de Microélectronique et de Visualisation URA CNRS 1648, Université de Rennes I, Campus de Beaulieu bâtiment 11 B, 35042 Rennes Cedex, France

(Reçu le 25 juillet 1996, accepté le 4 novembre 1996)

Abstract
The new isotherm FTDLTS (Fourier Transform Deep Level Transient Spectroscopy) method has been used to characterize deep level, in Au-PO xN yIn z-(n)InP MIS structures in two temperature ranges. The insulator PO xN yIn z is deposited on InP maintained at 360 °C from phosphorus oxinitride solid sample (PON). Three deep centers E ( $E_{\rm c} - 0.378$ eV), Z ( $E_{\rm c} - 0.836$ eV) and G ( $E_{\rm c} - 0.694$ eV), have been detected and characterized. These defects originating from the device fabrication process, are complex defects principally linked to residual impurities, to phosphorus vacancy and to indium vacancy.

Résumé
La nouvelle méthode isotherme appelée FTDLTS (Fourier Transform Deep Level Transient Spectroscopy) a été utilisée pour caractériser des défauts profonds dans des structures MIS : Au-PO xN yIn z-(n)InP, dans deux domaines de température de mesure. L'isolant PO xN yIn z a été obtenu à partir de l'évaporation de l'oxynitrure de phosphore (PON) massif sur substrats InP maintenus à 360 °C. Trois défauts E ( $E_{\rm c}-$ 0,378 eV), Z ( $E_{\rm c}-$ 0,836 eV) et G ( $E_{\rm c}-$ 0,694 eV) ont été mis en évidence. Ces défauts qui sont générés lors des processus de réalisation des structures MIS sont des défauts complexes liés principalement aux impuretés résiduelles, aux lacunes de phosphore et aux lacunes d'indium.



© Les Editions de Physique 1997