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J. Phys. III France
Volume 7, Number 11, November 1997
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| Page(s) | 2131 - 2143 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jp3:1997245 | |
J. Phys. III France 7 (1997) 2131-2143
Caractérisation des dégradations de transistors MOS de puissance sous irradiations
E. Bendada1, K. Raïs2 and P. Mialhe31 Département de Génie Électrique, Faculté des Sciences et Techniques, Errachidia, Maroc
2 L.C.C.S., Université Choudaïb Doukkali, El Jadida, Maroc
3 Centre d'Études Fondamentales, Université de Perpignan, Perpignan, France
(Reçu le 27 février 1996, révisé le 10 février 1997 et le 8 juillet 1997, accepté le 12 août 1997)
Abstract
The aim of this work is the characterization of D-MOS (HEXFET) structure before and after irradiations. An innovative method
for device characterisation is experimented to quantify radiation effects. This study is based on the determination of importants
parameters: series resitance, ideality factor, reverse recombination and reverse diffusion currents of the substrate-drain
junction by the analysis of its current voltage characteristics. The form of
I-
V characteristics of the substrate-drain junction with operating conditions is found dependent of defects induced by irradiations.
It is shown that values of the series resistance, the ideality factor and the reverse recombination current increases with
the gate voltage and with the dose absorbed. The reverse diffusion current is shown to be not albered by radiation exposures.
Résumé
Une nouvelle méthode de caractérisation de la dégradation sous irradiations des transistors à structure D-MOS de type HEXFET
est proposée. Elle est basée sur l'analyse des propriétés de la diode substrat-drain en utilisant les méthodes bien établies
de modélisation des jonctions p-n. La description des caractéristiques courant-tension à l'aide des modèles permettant de
séparer les processus de diffusion et de recombinaison des porteurs, conduit à déterminer d'une manière simple des paramètres
importants : résistance série, facteur de qualité, courant inverse de recombinaison et courant inverse de diffusion. La forme
des caractéristiques courant-tension de la jonction avec les conditions de fonctionnement est trouvée dépendante des défauts
induits par les irradiations. Il est montré que les valeurs de la résistance série, du facteur de qualité et du courant inverse
de recombinaison augmentent avec la tension de grille et avec la dose absorbée. Le courant inverse de diffusion est non altéré
par l'exposition aux radiations.
© Les Editions de Physique 1997