DOI: 10.1051/jp3:1991252
J. Phys. III France 1 (1991) 1-12

Microscopie en champ proche par réflexion

M. Spajer¹, D. Courjon¹, K. Sarayeddine¹, A. Jalocha¹ and J.-M. Vigoureux<sup>2

1</sup>  Laboratoire d'Optique P. M. Duffleux, U.R.A. 214, C.N.R.S., Université de FrancheComté, U.F.R. des Sciences et des Techniques, 25030 Besançon Cedex, France
²  Laboratoire de Physique Moléculaire, U.R.A. 772, C.N.R.S., Université de Franche-Comté, U.F.R. des Sciences et des Techniques, 25030 Besançon Cedex, France

(Reçu le 10 septembre 1989, révisé le 10 septembre 1990, accepté le 19 octobre 1990)

Abstract
This communication presents two techniques for high resolution surface analysis. In the first one, the illumination beam is totally reflected under the object surface, which must be transparent. The evanescent wave confined on the surface is frustrated locally by a dielectric probe of nanometric dimension which scans the objetc. A horizontal resolution of 10 nm and a vertical one of 1 nm have been obtained. In the second one, more adapted to metallic objects, the surface is illuminated by the near-field of the stylus, in which the reflected beam is Partially launched. First results dealing with the characterization of the dielectric stylus are presented.

Résumé
Cette communication présente deux techniques permettant l'analyse de surface haute résolution. Dans la première, le faisceau d'éclairage est réfléchi totalement sous la surface de l'objet, nécessairement transparent. L'onde évanescente qui l'accompagne est frustrée localement par une pointe diélectrique de dimension nanométrique balayant la surface. Une résolution de 10 nm horizontalement et de 1 nm verticalement a été obtenue. Dans la seconde, qui permet d'étudier un objet opaque, celui-ci est éclairé par le champ proche émis par la pointe, dans laquelle le faisceau réfléchi est partiellement réinjecté. Les premiers résultats concernant la caractérisation de la pointe sont présentés.

© Les Editions de Physique 1991