Numéro
J. Phys. III France
Volume 2, Numéro 5, May 1992
Page(s) 717 - 737
DOI https://doi.org/10.1051/jp3:1992156
DOI: 10.1051/jp3:1992156
J. Phys. III France 2 (1992) 717-737

Sur des propriétés des surfaces de quelques semiconducteurs III-V déduites de mesures de photovoltage

A. Ismail, M. T. Chehabeddine and L. Lassabatère

Laboratoire d'Etudes des Surfaces, Interfaces et Composants, UA CNRS DO7870, Case Courrier 088, Université de Montpellier II, Place Eugène Bataillon, 34095 Montpellier Cedex 5, France

(Reçu le 13 septembre 1991, révisé et accepté le 6 février 1992)

Abstract
In this paper we study results concerning the surface photovoltage of some cleaved III-V semiconductors illuminated by photon with $h\nu > E_{\rm g}$. We firstly present the theorical models used to determine the photovoltage and then study the variation of this photovoltage with the photon density for typical surface states of III-V semiconductor surfaces. Afterwards experimental results we have obtained by Kelvin measurements are analysed. Using simple hypothesis and model, we show that, from photovoltage curves, information of Fermi level pinning and on the surface state characteristics can be obtained.

Résumé
On étudie dans cet article le photovoltage de surface obtenu par éclairement avec des photons d'énergie supérieure au gap du semiconducteur. Après avoir présenté les modèles théoriques, on calcule le photovoltage basé sur ces modèles et détermine, pour quelques cas typiques, l'évolution du photovoltage avec le taux d'injection. On analyse ensuite les résultats expérimentaux que nous avons obtenus par des mesures électriques directes (différence de potentiel de contact) du photovoltage de surface clivée de quelques semiconducteurs III-V. On montre que, moyennant quelques hypothèses simplificatrices raisonnables et des modélisations simples, on peut, à partir des courbes de photovoltage déduie des positions de l'ancrage du niveau de Fermi et des caractéristiques des états de surface.



© Les Editions de Physique 1992