Essais d'accroissement de la barrière du contact métal/InP type n par l'introduction artificielle d'états accepteurs

(Reçu le 29 octobre 1990, révisé le 30 mai 1991, accepté le 11 février 1992)

Abstract
Ag/Zn/InP n-type contacts have been achieved on cleaved and chimically etched surfaces in order to probe our proposal that new electronic states could well seriously challenge the native states responsible for the Fermi level pinning. Zn was chosen because it may be associated to an acceptor state close to the valence band maximum. The expected increase of the barrier height appears after annealing the diodes at 250-300 °C. However, the electrical characteristics of these diodes are not ideal. We conclude that the observed effect corresponds to an enlargement of the barrier associated with a too low density for the new states.

Résumé
Des contacts Ag/Zn/InP type n ont été réalisés sur surface clivée et mécano-chimique pour tester l'idée que l'on peut concurrencer les états électroniques naturellement responsables de l'ancrage du niveau de Fermi par des états introduits artificiellement. Le zinc a été choisi car il peut produire un état accepteur de position énergétique favorable (bas de la bande interdite). Cet état se manifeste après un recuit à 250-300 °C en produisant l'accroissement de barrière attendu. Cependant les diodes obtenues ont des caractéristiques électriques non idéales que l'on attribue à une densité de l'état introduit trop faible associée à un élargissement de la barrière.