Élimination du bore du silicium par plasma inductif sous champ électrique

(Reçu le 7 septembre 1992, révisé le 22 décembre 1992, accepté le 12 février 1993)

Abstract
We analyzed purification mechanisms of silicon by inductive plasma with a fluoride slag. The aim is to study boron elimination from doped electronic grade silicon in function of the nature of the slag to obtain a photovoltaic grade silicon. The steady began with the calculation and the comparison of the stability diagram of boron compounds in presence of CaF ₂, BaF ₂ and MgF ₂. This study led us to conclude that BaF ₂ is the better slag for silicon purification. This has been confirmed by experience. In a second time, we made purifications under electric bias to enhance slag efficiency. We noticed that BaF ₂ is more sensitive to electric bias than other slags.

Résumé
Nous avons analysé le mécanisme de purification du silicium sous plasma inductif en présence d'un laitier fluoré. L'objectif principal est d'étudier l'élimination du bore du silicium électronique dopé en fonction de la nature du fluorure pour obtenir un silicium de qualité photovoltaïque. L'étude a commencé par l'établissement et la comparaison de diagrammes des composés du bore en présence de CaF ₂, de MgF ₂ et de BaF ₂. Nous avons déduit de cette première étude que BaF ₂ est le meilleur laitier pour la purification du silicium. Ceci a été corroboré par l'expérience. Nous avons ensuite opéré en présence d'un champ électrique dans le but d'améliorer encore l'efficacité des laitiers. Nous avons constaté que BaF ₂ est plus sensible au champ électrique que les deux autres laitiers utilisés.