Recuit thermique rapide de semi-conducteur par énergie micro-onde

(Reçu le 22 décembre 1992, révisé le 19 février 1993, accepté le 23 février 1993)

Abstract
This paper proposes a new technique for rapid thermal annealing of semi-conductors. This technique is based on microwave energy, and offers the same advantages as the rapid thermal annealing by incoherent light, in terms of rapidity, and contamination. However, our technique reduces considerably the required energy for the annealing process. This technique has been compared to the rapid thermal by incoherent light: lab experiments, carried out on boron implanted silicon samples, showed that a power gain ratio of about 10 can be achieved.

Résumé
Nous proposons une méthode de recuit thermique rapide du silicium par énergie micro-onde. Cette technique offre les mêmes avantages que les traitements thermiques rapides par lumière incohérente, c'est-à-dire des durées de chauffage très brèves, limitant ainsi la diffusion des dopants, et un traitement plaquette par plaquette : les risques de contamination de tout un lot sont ainsi éliminés. De plus notre méthode requiert une faible énergie : pour parvenir à des recuits de qualité similaire à celle obtenue dans des fours de recuit rapide à lampes il faut un flux de puissance 10 fois plus faible.