| Numéro |
J. Phys. III France
Volume 3, Numéro 11, November 1993
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| Page(s) | 2163 - 2163 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jp3:1993278 | |
DOI: 10.1051/jp3:1993278
J. Phys. III France 3 (1993) 2163-2163
The list of authors (and the address) for this article are to be corrected as follows:
M. Idrissi-Benzohra, M. Akani, C. E. Benouis, M. Benzohra
Laboratoire d'Analyse des Composants au Silcium, Université des Sciences et de la Technologie d'Oran, Oran El-Mnaouer 31000, Algérie.
© Les Editions de Physique 1993
J. Phys. III France 3 (1993) 2163-2163
Erratum
Caractérisation électrique des interfaces P + - Si - poly/N-c-Si réalisées par dépôt LPCVD de films fortement dopés in situ au bore
M. Akani, C. E. Benouis and M. BenzohraErratum of J. Phys. III France 3 p. 1675
Abstract
La liste des auteurs (et leur adresse) concernant cet
article sont à corriger comme suit:
The list of authors (and the address) for this article are to be corrected as follows:
M. Idrissi-Benzohra, M. Akani, C. E. Benouis, M. Benzohra
Laboratoire d'Analyse des Composants au Silcium, Université des Sciences et de la Technologie d'Oran, Oran El-Mnaouer 31000, Algérie.
© Les Editions de Physique 1993