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Erratum
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Numéro
J. Phys. III France
Volume 3, Numéro 11, November 1993
Page(s) 2163 - 2163
DOI https://doi.org/10.1051/jp3:1993278
DOI: 10.1051/jp3:1993278
J. Phys. III France 3 (1993) 2163-2163

Erratum

Caractérisation électrique des interfaces P + - Si - poly/N-c-Si réalisées par dépôt LPCVD de films fortement dopés in situ au bore

M. Akani, C. E. Benouis and M. Benzohra

 

Erratum of J. Phys. III France  3 p. 1675

Abstract
La liste des auteurs (et leur adresse) concernant cet article sont à corriger comme suit:



The list of authors (and the address) for this article are to be corrected as follows:



M. Idrissi-Benzohra, M. Akani, C. E. Benouis, M. Benzohra



Laboratoire d'Analyse des Composants au Silcium, Université des Sciences et de la Technologie d'Oran, Oran El-Mnaouer 31000, Algérie.



© Les Editions de Physique 1993