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J. Phys. III France
Volume 4, Numéro 2, February 1994
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| Page(s) | 273 - 291 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jp3:1994129 | |
J. Phys. III France 4 (1994) 273-291
Mise en évidence des mécanismes d'injection de porteurs majoritaires à l'interface semiconducteur/électrolyte
J. Jaume1, C. Debiemme-Chouvy1, J. Vigneron1, M. Herlem1, E. M. Khoumri1, J. L. Sculfort2, D. Le Roy1 and A. Etcheberry11 Laboratoire de Chimie et Electrochimie de Matériaux Inorganiques, CNRS, 1 Place A. Briand, 92190 Meudon, France
2 I.U.T. Troyes, Département GMP, 9 rue de Québec, 10026 Troyes Cedex, France
(Reçu le 14 avril 1993, révisé le 26 octobre 1993, accepté le 19 novembre 1993)
Abstract
The semiconductor/electrolyte junction can be used in order to detect easily electron and/or hole injection processes related
to chemical species bound to the crystal lattice. These phenomena take place when multielectronic electrochemical reactions
occur at the interface, such as reductions (oxygen, hydrogen peroxide) or oxidations (photoanodic decomposition). In this
paper a comparison between GaAs and InP has been analyzed. The parts played in the overall electrochemical process by reaction
intermediates and surface films are discussed.
Résumé
La jonction semiconducteur/électrolyte est un système permettant de détecter aisément les processus d'injection de charges
associées à des espèces chimiques en liaison avec le réseau cristallin. Ces phénomènes interviennent lors de réactions électrochimiques
très diverses, comme les réactions de réduction multiélectroniques (oxygène, eau oxygénée) ou d'oxydation (décomposition des
matériaux). Dans cet article, une comparaison entre InP et GaAs permet de discuter, dans le processus global, du rôle des
intermédiaires réactionnels et des films de surface.
© Les Editions de Physique 1994