DOI: 10.1051/jp3:1994180
J. Phys. III France 4 (1994) 997-1009

Etude des défauts profonds dans l'arséniure de gallium implantés en oxygène et co-implantés en silicium par la méthode FTDLTS

A. Le Bloa¹, Dang Tran Quan¹, Z. Guennouni¹ and P. N. Favennec<sup>2

1</sup>  Groupe de Microélectronique et de Visualisation, URA 1648 CNRS, Université de Rennes I, Campus de Beaulieu, 35042 Rennes Cedex, France
²  Groupement ICM/TOH, Centre National d'Etudes des Télécommunications, Lannion B, 22301 Lannion Cedex, France

(Reçu le 25 janvier 1994, accepté le 25 mars 1994)

Abstract
We describe the setting up of our isotherm FTDLTS (Fourier Transform Deep Level Transient Spectroscopy) method which has a better time constant resolution than that of classic DLTS methods. This method has been used to characterize deep levels in O-implanted and (O + Si) co-implanted GaAs. Several deep centers with closely-spaced levels of the U band and the EL2 family levels have been characterized. Discret levels have been obtained. The signatures of these defects are closed, in the first case, to that of the EL3 center, in the second case, to that of the EL0 and EL2 centers. The (E = 0.56 eV) level seems to be the Ga-O-Ga complex. The (O + Si) co-implantation favors the ED2 defect formation in 650  C and 900  C annealed samples.

Résumé
On rappelle d'abord la mise en oeuvre d'une nouvelle méthode isotherme appelée FTDLTS (Fourier Transform Deep Level Transient Spectroscopy) dont le pouvoir séparateur en constante de temps est nettement supérieur à celui des méthodes DLTS classiques. On l'applique à la caractérisation des défauts profonds, dans le domaine de températures 200-450 K, des échantillons de GaAs implantés en oxygène et en silicium. Plusieurs défauts à niveau d'énergie discret appartenant à la bande U et dont les signatures, toutes proches de celle de EL3, sont voisines ont été mis en évidence. L'un de ces défauts (E = 0,56 eV) semble être le défaut complexe Ga-O-Ga. Trois défauts EDI, ED2 et ED3 de la famille EL2 ont été également mis en évidence ; deux d'entre eux, ED2 et ED3 ont une signature proche de celle de EL0 et EL2 respectivement. La co-implantation de silicium avec l'oxygène favorise, dans nos échantillons recuits à 650  C et à 900  C, la formation de ED2 par rapport à celle de ED1.

© Les Editions de Physique 1994