DOI: 10.1051/jp3:1995159
J. Phys. III France 5 (1995) 759-773

Croissance de couches de Si Ge _x par réaction chimique a partir d'une phase gazeuse : étude thermodynamique et analyse du transfert de matière

H. Rouch¹, M. Pons¹, C. Bernard² and R. Madar<sup>3

1</sup>  S2MC, URA n$^{\circ}$ 413/ENSEEG/INPG, BP 75, Domaine Universitaire, 38402 Saint-Martin d'Hères, France
²  LTPCM, URA n$^{\circ}$ 29/ENSEEG/INPG, BP 75, Domaine Universitaire, 38402 Saint-Martin d'Hères, France
³  LMGP, URA n$^{\circ}$ 1109/ENSPG/INPG, BP 46, Domaine Universitaire, 38402 Saint-Martin d'Hères, France

(Reçu le 10 novembre 1994, révisé le 15 mars 1995, accepté le 21 mars 1995)

Abstract
The growth of Si _1-xGe _x layers at a high temperature (1300 K) and low pressure (315 Pa) (by chemical vapour deposition) was studied by a thermodynamic approach and a mass transport analysis using simplifying assumptions. The results showed that the thermodynamic analysis does not permit alone to explain the experimental measurements concerning the composition of the layer. The mass transport analysis showed that thermodiffusion would be of importance on layer composition and uniformity for large substrates.

Résumé
La croissance de couches de Si _1-xGe _x à haute température (1300 K) et basse pression (315 Pa) par réaction chimique à partir d'une phase gazeuse a été étudiée à l'aide d'une approche thermodynamique et de l'analyse du transfert de matière pour laquelle des hypothèses très simplificatrices ont été émises. Les résultats ont montré que l'analyse thermodynamique, seule, ne permet pas d'interpréter les mesures concernant la composition du matériau déposé. Quant à l'étude du transfert de matière, elle a montré que la thermodiffusion jouait un rôle important sur la composition du matériau déposé ainsi que sur l'uniformité du dépôt sur des substrats de grandes dimensions.

© Les Editions de Physique 1995