| Numéro |
J. Phys. III France
Volume 5, Numéro 9, September 1995
|
|
|---|---|---|
| Page(s) | 1337 - 1343 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jp3:1995100 | |
DOI: 10.1051/jp3:1995100
J. Phys. III France 5 (1995) 1337-1343
Laboratoire de Photoélectricité des Semi-conducteurs EA882, "Défauts dans les Semi-conducteurs et leurs Oxydes", Université d'Aix-Maxseille III, Faculté des Sciences et Techniques de Marseille-St. Jérôme, 13397 Marseille Cedex 20, France
© Les Editions de Physique 1995
J. Phys. III France 5 (1995) 1337-1343
Aluminium Gettering in Silicon Wafers
S. Martinuzzi, O. Porre, I. Périchaud and M. PasquinelliLaboratoire de Photoélectricité des Semi-conducteurs EA882, "Défauts dans les Semi-conducteurs et leurs Oxydes", Université d'Aix-Maxseille III, Faculté des Sciences et Techniques de Marseille-St. Jérôme, 13397 Marseille Cedex 20, France
(Received 19 December 1994, accepted 9 May 1995)
Abstract
The effect of an evaporated thick aluminium paper on electrical properties of multicrystalline and gold contaminated FZ monocrystalline
silicon wafers was investigated. By means of minority carrier diffusion length measurements and Deep Level Transient Spectroscopy,
it was deduced that the material improvements observed after annealing at 900 °C are due to gettering of metallic impurities
in the Al-Si alloyed layer.
© Les Editions de Physique 1995