Classical and Rapid Thermal Process Effects on Oxygen Precipitation in Silicon

(Received 19 December 1994, revised 9 May 1995, accepted 1 June 1995)

Abstract
We report observations on the effects of Rapid Thermal Annealing (RTA) on oxygen and carbon content of different mono and multicrystalline silicon materials. From the comparison between the resulting effects of conventional and rapid thermal annealing, we can deduce that the increase of the concentration of interstitial oxygen after a short annealing is due to the dissociation and dissolution of some microprecipitates in silicon, which is significantly affected by the initial oxygen content, thermal history, defects and impurity content.

Résumé
Nous avons étudié les effets du recuit thermique rapide sur la précipitation de l'oxygène dans différents matériaux de silicium. L'augmentation de la concentration en oxygène interstitiel après un recuit thermique rapide est due à la dissociation et à la dissolution de certains microprécipités existant dans le matériau, qui dependent essentiellement de la quantité initiale d'oxygène, de l'histoire thermique du matériau, des défauts et impuretés résiduelles.