Propriétés électriques d'hétérostructures a-GaAs/c-GaAs(n) et de structures de type MIS a-GaAsN/c-GaAs(n)

(Reçu le 23 décembre 1994, révisé le 13 mars 1995 et le 28 juin 1995, accepté le 6 juillet 1995)

Abstract
Heterojunctions were fabricated by deposit of amorphous GaAs and GaAsN on c-GaAs. I(V) and C(V) measurements were performed to determine electrical properties of these structures. The a-GaAs/c-GaAs(n) heterojunctions present a p-n junction like behaviour. The characteristics of the a-GaAsN/c-GaAs(n) heterojunctions present a MIS like structure behaviour with some imperfections. A fixed positive charge was detected and a density of interface states of about 10¹¹ eV ^-1cm ^-2 was evaluated.

Résumé
L'étude porte sur des couches minces de GaAs et de GaAsN amorphes déposées par pulvérisation cathodique RF réactive sur des substrats de GaAs cristallin. Les caractéristiques électriques I(V) et C(V) ont été mesurées. Les hétérojonctions a-GaAs/c-GaAs(n) présentent un effet redresseur. Cet effet laisse place à une caractéristique symétrique avec une forte atténuation de l'intensité du courant pour les structures a-GaAsN/cGaAs(n). Les structures réalisées ont alors un comportement semblable à celui d'une structure MIS imparfaite. L'existence d'une charge positive fixe dans le a-GaAsN a été mise en évidence. La densité des états d'interface au milieu de la bande interdite est évaluée à quelques 10¹¹ cm ^-2eV ^-1.