Numéro
J. Phys. III France
Volume 5, Numéro 12, December 1995
Page(s) 1983 - 1989
DOI https://doi.org/10.1051/jp3:1995243
DOI: 10.1051/jp3:1995243
J. Phys. III France 5 (1995) 1983-1989

Fabrication of Buried Co-Planar Metal-Insulator-Metal Nanojunctions with a Gap Lower than 10 nm

V. Rousset1, C. Joachim1, S. Itoua B. Rousset1, 2 and N. Fabre2

1  CEMES-LOE/CNRS, 29 Rue J. Marvig, B.P. 4347, 31055 Toulouse Cedex, France
2  LAAS/CNRS, 7 Avenue du Colonel Roche, 31077 Toulouse Cedex, France

(Received 27 June 1995, accepted 22 September 1995)

Abstract
An improvement of a process to fabricate co-planar metal-insulator-metal nanojunctions is presented to reach a gap length much lower than 10 nm using a 20 keV e-beam and an AuPd lift-off. The electrodes of the nanojunction are less than 100 nm in width and are buried in the SiO 2 substrate. For the 8 nm nanojunctions, the gap is still filled with SiO 2 if care is taken about the SiO 2 etching step of the process.

Résumé
Un procédé de fabrication est proposé pour obtenir des nanojonctions métal-isolant-métal co-planaires d'une largeur d'isolant bien inférieure à 10 nm en utilisant un masqueur électronique à 20 keV et un "lift-off" à l'or-palladium. Les électrodes de la nanojonction enterrées dans la silice ont une largeur de moins de 100 nm et sont distantes de 8 nm. En optimisant l'étape de sous gravure, il est possible de conserver de la silice comme isolant entre les électrodes.



© Les Editions de Physique 1995