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J. Phys. III France
Volume 5, Numéro 12, December 1995
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Page(s) | 1983 - 1989 | |
DOI | https://doi.org/10.1051/jp3:1995243 |
J. Phys. III France 5 (1995) 1983-1989
Fabrication of Buried Co-Planar Metal-Insulator-Metal Nanojunctions with a Gap Lower than 10 nm
V. Rousset1, C. Joachim1, S. Itoua B. Rousset1, 2 and N. Fabre21 CEMES-LOE/CNRS, 29 Rue J. Marvig, B.P. 4347, 31055 Toulouse Cedex, France
2 LAAS/CNRS, 7 Avenue du Colonel Roche, 31077 Toulouse Cedex, France
(Received 27 June 1995, accepted 22 September 1995)
Abstract
An improvement of a process to fabricate co-planar metal-insulator-metal nanojunctions is presented to reach a gap length
much lower than 10 nm using a 20 keV e-beam and an AuPd lift-off. The electrodes of the nanojunction are less than 100 nm
in width and are buried in the SiO
2 substrate. For the 8 nm nanojunctions, the gap is still filled with SiO
2 if care is taken about the SiO
2 etching step of the process.
Résumé
Un procédé de fabrication est proposé pour obtenir des nanojonctions métal-isolant-métal co-planaires d'une largeur d'isolant
bien inférieure à 10 nm en utilisant un masqueur électronique à 20 keV et un "lift-off" à l'or-palladium. Les électrodes de
la nanojonction enterrées dans la silice ont une largeur de moins de 100 nm et sont distantes de 8 nm. En optimisant l'étape
de sous gravure, il est possible de conserver de la silice comme isolant entre les électrodes.
© Les Editions de Physique 1995