Study of the Electron Mean Free Path by Ballistic Electron Emission Microscopy

(Received 2 October 1995, revised 12 January 1996, accepted 14 February 1996)

Abstract
Ballistic Electron Emission Microscopy allows buried interfaces to be characterized with a subnanometer resolution. Additionnally, the electron mean free path in a thin metal layer can thus be investigated with a good level of accuracy. This paper presents the latest results in this field for an Au/n-Si Schottky diode. A discussion is also proposed to link these results with the still controversial interpretations of BEEM contrasts.

Résumé
La microscopie par émission d'électrons balistiques permet la caractérisation d'interfaces enfouies, avec une résolution inférieure au nanomètre. De plus, le libre parcours moyen des électrons dans une fine couche métallique peut être étudié avec une excellente précision. Cet article présente les derniers résultats dans ce domaine, pour des diodes Schottky Au/n-Si. Une discussion est également proposée pour relier ces résultats aux interprétations, toujours très controversées, des contrastes fournis par les images BEEM.