Numéro
J. Phys. III France
Volume 6, Numéro 9, September 1996
Page(s) 1181 - 1187
DOI https://doi.org/10.1051/jp3:1996177
DOI: 10.1051/jp3:1996177
J. Phys. III France 6 (1996) 1181-1187

Interest of Pulsed and Modulated dc Discharges for Depositing Insulating Compounds by Reactive Magnetron Sputtering

A. Billard and C. Frantz

Laboratoire de Science et Génie des Surfaces, URA CNRS 1402 - INPL & Université de Nancy I, École des Mines, Parc de Saurupt, 54042 Nancy Cedex, France

(Received 8 January 1996, revised 23 April 1996, accepted 26 April 1996)

Abstract
Reactive magnetron sputtering using dc discharges simultaneously pulsed at medium-frequency (a few tenths of kHz) and modulated at low-frequency (a few Hz) enables the deposition of insulating ceramic films with a high growth rate and an excellent physical quality. The medium-frequency pulses and the low-frequency modulation respectively favour the long time stability of the electric conditions (suppression of arcing) and of the sputtering process itself (dynamic control of the target poisoning by the reactive gas).

Résumé
La pulvérisation magnétron réactive en utilisant des décharges dc simultanément pulsées à moyenne fréquence (quelques dizaines de kHz) et modulées à basse fréquence (quelques Hz) permer d'élaborer des films céramiques non conducteurs avec une grande vitesse de croissance et une excellente qualité physique. Les pulsations de moyenne fréquence et la modulation à basse fréquence favorisent respectivement la stabilité, pendant de longues durées, des conditions électriques (suppression des arcs) et du processus même de pulvérisation (contrôle dynamique de l'empoisonnement de la cible par le gaz réactif).



© Les Editions de Physique 1996