| Numéro |
J. Phys. III France
Volume 7, Numéro 6, June 1997
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| Page(s) | 1221 - 1226 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jp3:1997179 | |
J. Phys. III France 7 (1997) 1221-1226
Bi
Ti
O
Ferroelectric Thin Films: Morphology and Electrical Characteristics
F. Soares-Carvalho, I. Jauberteau, P. Thomas and J.P. Mercurio Laboratoire de Matériaux Céramiques et de Traitements de Surface U.R.A. C.N.R.S. n°320, 123 avenue Albert Thomas, 87060 Limoges cedex, France
(Received 19 June 1996, revised 30 August 1996, accepted 12 November 1996)
Abstract
Bi
4Ti
3O
12 thin films have been produced on Pt/TiO
2/SiO
2/Si buffer layers by spin-coating using a mixed bismuth-titanium alkoxide. The crystallization of Bi
4Ti
3O
12 is observed at 480
C. An increase of the average grain size related to an augmentation of the roughness of the films is observed with increasing
coatings number. P-E hysteresis loops confirmed the ferroelectric character of the films.
Résumé
Des couches minces de Bi
4Ti
3O
12 ont été préparées par centrifugation à partir d'un alcoxyde mixte de bismuth et de titane sur des substrats Pt/TiO
2/SiO
2/Si. Dès 480
C, la phase Bi
4Ti
3O
12 est cristallisée. Une croissance des grains associée à une augmentation de la rugosité des films a été observée avec le nombre
croissant de couches. Les mesures de cycles d'hystérésis ont confirmé le caractère ferroélectrique des films.
© Les Editions de Physique 1997