Journal de Physique III

Trapping and Recombination Properties Due to Trap Clustering p. 2275

A. Mandowski et J. Światek

DOI: https://doi.org/10.1051/jp3:1997258

Dislocation and Grain Boundary Energies in Si and Ge from an Anharmonic Bond Charge Model p. 2281

H. Teichler et J. Wilder

DOI: https://doi.org/10.1051/jp3:1997259

Dislocation-Point Defect Interaction Effect on Local Electrical Properties of Semiconductors p. 2293

E.B. Yakimov

DOI: https://doi.org/10.1051/jp3:1997102

Heteroepitaxy of Cubic GaN p. 2309

A. Trampert, O. Brandt, H. Yang et K.H. Ploog

DOI: https://doi.org/10.1051/jp3:1997260

Microstructure of Pyramidal Defects in InSb Layers Grown by Atomic Layer Molecular Beam Epitaxy on InP Substrates p. 2317

J.C. Ferrer, F. Peiró, A. Cornet, J.R. Morante, T. Utzmeier et F. Briones

DOI: https://doi.org/10.1051/jp3:1997261

TEM Imaging of Dislocation Kinks, their Motion and Pinning p. 2325

J.C.H. Spence, H.R. Kolar et H. Alexander

DOI: https://doi.org/10.1051/jp3:1997262

Analysis of Large Impurity Atmospheres at Dislocations and Associated Point Defect Reactions in Differently n-Doped GaAs Crystals p. 2339

C. Frigeri, J.L. Weyher, J. Jiménez et P. Martín

DOI: https://doi.org/10.1051/jp3:1997263

Thermal Behaviour of Deep Levels at Dislocations in n-Type Silicon p. 2361

D. Cavalcoli, A. Cavallini et E. Gombia

DOI: https://doi.org/10.1051/jp3:1997103

Mechanical Strength and Dislocation Velocities in GeSi Alloys p. 2367

Ichiro Yonenaga et Koji Sumino

DOI: https://doi.org/10.1051/jp3:1997264

Strain Measurements in Thin Film Structures by Convergent Beam Electron Diffraction p. 2375

A. Armigliato, R. Balboni, A. Benedetti, S. Frabboni, A. Tixier et J. Vanhellemont

DOI: https://doi.org/10.1051/jp3:1997265

Influence de l'introduction de défauts colonnaires amorphes sur les propriétés de transport d'un monocristal supraconducteur à haute $T_{\mathsf{c}}$ p. 2385

Franck Warmont, Sylvie Hébert, Vincent Hardy, Christine Martin, Charles Simon et Jackie Provost

DOI: https://doi.org/10.1051/jp3:1997266

Microstructures and Mechanical Properties of NiAl-(Cr) and TiAl-(Cr) Intermetallic Alloys p. 2393

G. Frommeyer et C. Derder

DOI: https://doi.org/10.1051/jp3:1997104

Étude théorique de matériaux bianisotropes synthétiques contrôlables p. 2405

Fabrice Auzanneau et Richard W. Ziolkowski

DOI: https://doi.org/10.1051/jp3:1997267

Méthodes de type éléments finis pour le calcul des champs électriques et magnétiques en électroencéphalographie et magnétoencéphalographie p. 2419

Christophe Guérin, Gildas Marin, Line Garnero et Gérard Meunier

DOI: https://doi.org/10.1051/jp3:1997268

Filtrage actif des harmoniques en courant et en tension des reseaux électriques : modélisation, simulation numérique et expérimentation p. 2433

C. Lott, O. Lapierre, H. Pouliquen et S. Saadate

DOI: https://doi.org/10.1051/jp3:1997269

Optical Characterization of the Director Field in a Distorted Nematic Layer p. 2459

Emmanuel Plaut, Alain Joets et Roland Ribotta

DOI: https://doi.org/10.1051/jp3:1997105

Accès gratuit

Erratum

Measurement of Atomic Fractions in Multi-Phased Materials of Limited Mass $via$ an Empirical Approach to EXAFS Modeling p. 2475

V.G. Harris, S.A. Oliver, J.D. Ayers et B.N. Das

DOI: https://doi.org/10.1051/jp3:1997270