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Article cité :

Annealing-related electrical and piezoresistive properties of Band As-implanted LPCVD silicon films

P. Jeanjean, J. Sicart, J. L. Robert, M. Le Berre, P. Pinard, V. Conedera

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DOI: https://doi.org/10.1051/jp3:1993119

Citations de cet article :

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Piezoresistance of boron-doped PECVD and LPCVD polycrystalline silicon films

M. Le Berre, M. Lemiti, D. Barbier, et al.
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Piezoresistance Gauge Factors in Heavily Boron-Doped Polysilicon from Infrared Piezoreflectance

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Application of Rapid Thermal Annealing on LPCVD Polysilicon Films for Piezoresistivity

P. Kleimann, M. Le Berre, D. Barbier and P. Pinard
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Small angle neutron scattering near Lifshitz lines: Transition from weakly structured mixtures to microemulsions

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Piezoresistive Properties of Boron-Doped PECVD Micro- and Polycrystalline Silicon films

M. Le Berre, M. Lemiti, D. Barbier, et al.
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Electrical and structural properties of rapid thermally annealed boron‐doped silicon films deposited by plasma‐enhanced chemical‐vapor deposition

P. Jeanjean, J. Sicart, P. Sellitto, et al.
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