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Étude des pièges dans les transistors à haute mobilité électronique sur GaAs à l'aide de la méthode dite de “relaxation isotherme”. Corrélation avec les anomalies de fonctionnement

P. Audren, J. M. Dumas, M. P. Favennec, S. Mottet

J. Phys. III France, 3 2 (1993) 185-206

DOI: https://doi.org/10.1051/jp3:1993126

Citations de cet article :

Nonlinear Transistor Model Parameter Extraction Techniques

Olivier Jardel, Raphael Sommet, Jean-Pierre Teyssier and Raymond Quéré
Nonlinear Transistor Model Parameter Extraction Techniques 206 (2011)
https://doi.org/10.1017/CBO9781139014960.008

Conductance deep-level transient spectroscopy study of 1μm gate length 4H-SiC MESFETs

Malek Gassoumi, Jean-Marie Bluet, Imène Dermoul, et al.
Solid-State Electronics 50 (2) 214 (2006)
https://doi.org/10.1016/j.sse.2005.10.030

Drain-current DLTS study of an GaAs/InP MESFET

I Dermoul, A Kalboussi, F Chekir and H Maaref
Microelectronics Journal 31 (5) 359 (2000)
https://doi.org/10.1016/S0026-2692(99)00154-8