Étude des pièges dans les transistors à haute mobilité électronique sur GaAs à l'aide de la méthode dite de “relaxation isotherme”. Corrélation avec les anomalies de fonctionnement

P. Audren; J. M. Dumas; M. P. Favennec; S. Mottet

doi:doi:10.1051/jp3:1993126

Numéro		J. Phys. III France Volume 3, Numéro 2, February 1993


Page(s)		185 - 206
DOI		https://doi.org/10.1051/jp3:1993126

DOI: 10.1051/jp3:1993126
J. Phys. III France 3 (1993) 185-206

Étude des pièges dans les transistors à haute mobilité électronique sur GaAs à l'aide de la méthode dite de "relaxation isotherme". Corrélation avec les anomalies de fonctionnement

P. Audren¹, J. M. Dumas², M. P. Favennec¹ and S. Mottet²

¹ Institut Universitaire de Technologie, B.P. 150, 22300 Lannion, France
² Centre National d'Etudes des Télécommunications, B.P. 40, 22300 Lannion, France

(Reçu le 9 juillet 1992, accepté le 5 novembre 1992)

Abstract
Trap-related parasitic effects penalizing the GaAs high electron mobility transistor have been studied by means of isothermal relaxation experiment. Basic principles together with improvements are briefly described. Once the method validated, typical cases are reported. It appears as a usefull investigation tool supporting the choice of high speed electron device technologies to be introduced into systems.

Résumé
Les phénomènes de piégeage à l'origine des anomalies de fonctionnement ont été étudiés dans les transistors à haute mobilité électronique sur GaAs, à l'aide de la méthode dite de "relaxation isotherme". Les principes de cette méthode ainsi que des améliorations sont brièvement décrits. Après validation, des cas typiques sont présentés. La méthode apparait comme un outil d'investigation facilitant le choix des technologies des dispositifs électroniques rapides en vue de leur introduction dans les systèmes.