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Article cité :

Ngse au Point d'une technique d'obtention de couches minces texturées de MoSe₂

N. Manai, J. C. Bernede, M. Spiesser

J. Phys. III France, 1 11 (1991) 1825-1839

DOI: https://doi.org/10.1051/jp3:1991235

Citations de cet article :

About the preferential sputtering of chalcogen from transition metal dichalcogenide compounds and the determination of compound stoichiometry from XPS peak positions

J Bernède
Applied Surface Science 171 (1-2) 15 (2001)
https://doi.org/10.1016/S0169-4332(00)00535-3

Properties of MoSe2 thin films obtained by solid state reactions between thin films and by d.c. diode sputtering

J. Pouzet and J.C. Bernède
Materials Chemistry and Physics 36 (3-4) 304 (1994)
https://doi.org/10.1016/0254-0584(94)90046-9

Optical and electrical properties of textured MoSe2 layers obtained by annealing Mo and Te thin films under Se pressure

J. Pouzet, J. C. Bernede and A. Ouadah
Physica Status Solidi (a) 139 (2) 471 (1993)
https://doi.org/10.1002/pssa.2211390220