Numéro
J. Phys. III France
Volume 1, Numéro 11, November 1991
Page(s) 1825 - 1839
DOI https://doi.org/10.1051/jp3:1991235
DOI: 10.1051/jp3:1991235
J. Phys. III France 1 (1991) 1825-1839

Ngse au Point d'une technique d'obtention de couches minces texturées de MoSe 2

N. Manai1, J. C. Bernede1 and M. Spiesser2

1  Faculté des Sciences, Laboratoire de Physique des Matériaux et Composants de l'Electronique, 2 rue de la Houssinière, 44072 Nantes Cedex 03, France
2  I.M.N., Laboratoire de Physique Cristalline, 2 rue de la Houssinière, 44072 Nantes Cedex 03, France

(Reçu le 17 mai 1991, accepté le 11 juillet 1991)

Abstract
A new process to obtain textured MoSe 2 thin films is described MoTe 2 thin films obtained by D.C. diode sputtering are annealed at 840 K during 24 h under Te and Se vapors. During the annealing MoSe 2 crystallites growths with their c axis perpendicular to the plane of the substrate. The evolution of the properties of the layers is investigated by X-Ray photoelectron spectroscopy (Y.PS), X-ray diffraction and scanning electron microscopy, the atomic ratio Se/Te is taken as parameter.

Résumé
Une technologie d'obtention de couches minces texturées de MoSe 2 a été mise au point. Ces couches sont obtenues à partir de couches de MoTe 2 déposées par pulvérisation diode continue, puis traitées thermiquement (recuit 24 h à 840 K) en présence de vapeur de Te et de Se, L'évolution des propriétés des couches, en fonction du rapport atomique Se/Te présent lors du recuit, est étudiée par spectroscopie de photoélectrons (XPS), diffraction de rayons X et microscopie à balayage.



© Les Editions de Physique 1991