Numéro |
J. Phys. III France
Volume 1, Numéro 11, November 1991
|
|
---|---|---|
Page(s) | 1825 - 1839 | |
DOI | https://doi.org/10.1051/jp3:1991235 |
J. Phys. III France 1 (1991) 1825-1839
Ngse au Point d'une technique d'obtention de couches minces texturées de MoSe 2
N. Manai1, J. C. Bernede1 and M. Spiesser21 Faculté des Sciences, Laboratoire de Physique des Matériaux et Composants de l'Electronique, 2 rue de la Houssinière, 44072 Nantes Cedex 03, France
2 I.M.N., Laboratoire de Physique Cristalline, 2 rue de la Houssinière, 44072 Nantes Cedex 03, France
(Reçu le 17 mai 1991, accepté le 11 juillet 1991)
Abstract
A new process to obtain textured MoSe
2 thin
films is described MoTe
2 thin films obtained by D.C. diode
sputtering are annealed at 840 K during 24 h under Te and Se
vapors. During the annealing MoSe
2 crystallites growths with
their c axis perpendicular to the plane of the substrate. The
evolution of the properties of the layers is investigated by X-Ray
photoelectron spectroscopy (Y.PS), X-ray diffraction and scanning
electron microscopy, the atomic ratio Se/Te is taken as parameter.
Résumé
Une technologie d'obtention de couches minces
texturées de MoSe
2 a été mise au point. Ces couches sont
obtenues à partir de couches de MoTe
2 déposées par
pulvérisation diode continue, puis traitées thermiquement
(recuit 24 h à 840 K) en présence de vapeur de Te et de Se,
L'évolution des propriétés des couches, en fonction du
rapport atomique Se/Te présent lors du recuit, est étudiée
par spectroscopie de photoélectrons (XPS), diffraction de rayons
X et microscopie à balayage.
© Les Editions de Physique 1991