Caractérisation électrique des interfaces P+-Si-poly/N-c-Si réalisées par dépôt LPCVD de films fortement dopés in#xa0;situ au bore M. Akani, C. E. Benouis et M. BenzohraJ. Phys. III France, 3 8 (1993) 1675-1687DOI: https://doi.org/10.1051/jp3:1993228
