Journal de Physique III

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Caractérisation électrique des interfaces P⁺-Si-poly/N-c-Si réalisées par dépôt LPCVD de films fortement dopés in#xa0;situ au bore

M. Akani, C. E. Benouis et M. Benzohra

J. Phys. III France, 3 8 (1993) 1675-1687

DOI: 10.1051/jp3:1993228

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